InGaAs探測器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器，此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm/2200nm的近紅外成像和成像光譜技術，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術是實現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機銷售商的機械設計。

產(chǎn)品時間：2025-02-11

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產(chǎn)品介紹

LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

InGaAs短波焦平面探測器產(chǎn)品應用在近紅外成像和光譜技術成像上，包括非制冷型（無TEC）和制冷型（TEC）型。產(chǎn)品應用穩(wěn)定成熟的工藝，并已實現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝，便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備；集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度，并通過密閉金屬封裝來實現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號

InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

640×512系列FPA參數(shù)表

型號	FPA0640P15F-17-C	FPA0640P15F-17-T1/T2	FPA0640P15F-2.2-T2	FPA-640×512-K
材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
響應波段	0.9um-1.7um	0.9um-1.7um	1.2um-2.2um	0.9um-1.7um
圖像分辨率	640×512	640×512	640×512	640×512
像元尺寸	15um	15um	15um	25um
靶面尺寸	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	16mm×12.8mm
封裝	64-pin CLCC	28-pin SDIP Package	28-pin Metal SDIP Package	28-pin MDIP
重量	1.7g	19.5g(±0.5)	19.5g(±0.5)	24.6g/24.467g
有效像元率	>99.5%	>99.5%	≥98%	>99%
暗電流	≤30fA	≤20fA	≤25fA	≤0.2pA
量子效率	≥70%	≥70%	≥60%	≥70%
填充率	/	/	/	＞99%
串擾	/	/	/	＜1%
探測率	/	/	/	≥5×10¹²J(TE1) ≥7.5×10¹²J(TE2)
響應非均勻性	≤5%	≤5%	≤10%	≤10%
非線性(最大偏差)	≤2%	≤2%	≤4%	≤2%
最大像素率	/	/	/	10MHz
增益	High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-	High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-	High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-	High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-
滿阱容量	High:0.041Me- Low:1.38Me-	High:0.041Me- Low:1.38Me-	High:0.019Me- Low:1.440Me-	High:0.118Me- Low:1.9Me-
TEC制冷	非制冷	TE1/TE2/非制冷	TE2	TE1/TE2
工作溫度	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-20℃—+85℃
儲存溫度	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+85℃
功耗	200mw	200mw**	200mw	325mw**